SK Hynix представили собственный чип ОЗУ на 8 Гб для телефонов

Опубликовано 22 Декабря, 2016

Модуль оперативной памяти на 8 ГБ анонсировала компания SK Hynix.

Компания Самсунг анонсировала 8 ГБ LPDDR4 для телефонов и планшетов несколько месяцев назад.

Как стало известно, компания не планирует использовать разработку в готовящемся флагмане Galaxy S8. Южнокорейская компания SK Hynix совсем недавно объявила, что она выпустила новый тип памяти LPDDR4 на 8 Гб в одной микросхеме, подходящей для телефонов, планшетов и ПК. Он содержит 4 чипа по 2 ГБ DRAM с рабочей частотой 3733 МГц и поддерживает работу с флеш-памятью UFS NAND. Это ниже, чем частота 4266 MHz в 8 Гб памяти Самсунг. Пропускная способность модуля памяти от SK Hynix равняется 29,8 ГБ/с. Он будет производиться по 21-нанометровому техпроцессу, тогда как похожий 8-гигабайтный чип Самсунг будет выпускаться с употреблением 10-нанометровых норм. В настоящее время у реализацию поступила модификация чипа памяти с поддержкой UFS NAND и рабочим напряжением 1.8/1.1V. Предусматриваются два варианта с разным номинальным напряжением: 1,8/1,1 В (уже сейчас доступен для приобретения) и 0,6 В (отличается большей энергоэффективностью и начнет поставляться в первом квартале 2017 года).

Напомним, что SK Hynix является вторым в мире по величине производителем чипов после Самсунг и пятым по величине производителем полупроводников. Полное название компании — Хёндай Electronics, а объединение с SK Group породило SK Hynix.

Похожие новости