Самсунг Galaxy S9 может получить рекордный для телефонов объем памяти

Опубликовано 05 Декабря, 2017

Компания Самсунг Electronics объявила о начале массового производства первых в индустрии модулей eUFS объемом 512 гигабайт для мобильных устройств следующего поколения. Они построены на базе новейших микросхем 64-слойной флэш-памяти V-NAND плотностью 512 Гбит. Это приблизительно в 10 раз больше, чем на телефоне с 64 ГБ памяти. Самсунг удалось вдвое увеличить плотность хранения хранения информации в сравнении с решениями на 256 ГБ.

По утверждению производителя, не менее емкие флэш-накопители предоставят пользователям еще больше возможностей для хранения и работы с высококачественным контентом.

Объема в 512 ГБ хватит приблизительно на 130 роликов в 4K-разрешении длительностью в 10 минут.

«Новая память Самсунг 512 ГБ eUFS является наилучшим решением встроенной памяти для телефонов премиум-класса обновленного поколения, так как дает возможность побороть вероятные ограничения системной производительности, которые могут наблюдаться при использовании карт microSD», — объявил Джесу Хан, исполнительный вице-президент, подразделения продаж и маркетинга решений памяти, Самсунг Electronics. Наибольшее число операций при чтении/записи случайных блоков — до 42000 / 40000 IOPS. Это дает возможность записать 5-гигабайтный файл приблизительно за 6 секунд, другими словами не менее чем в восемь раз скорее, чем на обыденную карту microSD. Встраиваемые модули флеш-памяти eUFS (embedded Universal Flash Storage) используют 64-слойные 512-гигабитные чипы V-NAND.

Когда на рынке появятся первые мобильные телефоны, оснащенные 512 ГБ флэш-памяти, пока данных нет.

Похожие новости